BAS116E6327HTSA1 - DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BAS116E6327HTSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BAS116E6327HTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5nA @ 75V
Kapazität @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BAS116E6327HTSA1
Datenblätter : BAS116E6327HTSA1.pdf
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