IRC640PBF - MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRC640PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
68035 Pieces
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Technische Daten für IRC640PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRC640PBF
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
FET-Funktion : Current Sensing
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-5
Paket / fall : TO-220-5
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRC640PBF
Datenblätter : IRC640PBF.pdf
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