DMP2010UFG-13 - MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

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MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
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Technische Daten für DMP2010UFG-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMP2010UFG-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3350pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI3333-8
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMP2 , DMP201

Dokumente für DMP2010UFG-13

Datenblätter : DMP2010UFG-13.pdf

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