SQJ962EP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SQJ962EP-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQJ962EP-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 25V
Leistung max : 25W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQJ962EP-T1-GE3
Datenblätter : SQJ962EP-T1-GE3.pdf
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