EPC2100ENGRT - GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2100ENGRT
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für EPC2100ENGRT
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EPC2100ENGRT
Hersteller : EPC
Beschreibung : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für EPC2100ENGRT
Datenblätter : EPC2100ENGRT.pdf
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