IXFB30N120P - MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFB30N120P
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
22022 Pieces
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Technische Daten für IXFB30N120P
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXFB30N120P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Serie :
HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
310nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
22500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS264™
Paket / fall :
TO-264-3, TO-264AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXFB30N120P
Datenblätter :
IXFB30N120P.pdf
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