IRF6607 - MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Hersteller Teilenummer

IRF6607

Interne Teilenummer

AX-IRF6607

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRF6607

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF6607

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Ta), 94A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6930pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.6W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET™ MT

Paket / fall : DirectFET™ Isometric MT

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IRF6607.pdf

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