ISL9R18120S3ST - DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
296300 Pieces
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Technische Daten für ISL9R18120S3ST
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
ISL9R18120S3ST
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
Serie :
Stealth™
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
18A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
3.3V @ 18A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
300ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für ISL9R18120S3ST
Datenblätter :
ISL9R18120S3ST.pdf
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