GP1M003A090C - MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Hersteller Teilenummer

GP1M003A090C

Interne Teilenummer

AX-GP1M003A090C

Hersteller

Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für GP1M003A090C

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GP1M003A090C

Hersteller : Global Power Technologies Group

Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 748pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 94W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für GP1M003A090C

Datenblätter : GP1M003A090C.pdf

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