DMG4511SK4-13 - MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für DMG4511SK4-13
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMG4511SK4-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
35V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.3A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 25V
Leistung max :
1.54W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Supplier Device Package :
TO-252-4L
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMG4511SK4-13
Datenblätter :
DMG4511SK4-13.pdf
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