DMG4511SK4-13 - MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DMG4511SK4-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMG4511SK4-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 35V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.3A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 25V
Leistung max : 1.54W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Supplier Device Package : TO-252-4L
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMG4511SK4-13
Datenblätter : DMG4511SK4-13.pdf
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