IDB30E60ATMA1 - DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
340385 Pieces
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Technische Daten für IDB30E60ATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IDB30E60ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
52.3A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2V @ 30A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
126ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IDB30E60ATMA1
Datenblätter :
IDB30E60ATMA1.pdf
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