IDB30E60ATMA1 - DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IDB30E60ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IDB30E60ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 52.3A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2V @ 30A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 126ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : PG-TO263-3-2
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IDB30E60ATMA1
Datenblätter : IDB30E60ATMA1.pdf
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