1SS307(TE85L,F) - DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4570935 Pieces
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Technische Daten für 1SS307(TE85L,F)
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1SS307(TE85L,F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : S-Mini
Betriebstemperatur - Übergang : 125°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 1SS307(TE85L,F)
Datenblätter : 1SS307(TE85L,F).pdf
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