FDD5810-F085 - MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDD5810-F085
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FDD5810-F085
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDD5810-F085
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 72W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDD5810-F085
Datenblätter : FDD5810-F085.pdf
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