IPZ60R099P6FKSA1 - MOSFET N-CH 600V TO247-4

Hersteller Teilenummer

IPZ60R099P6FKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPZ60R099P6FKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V TO247-4

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

85780 Pieces

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Technische Daten für IPZ60R099P6FKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPZ60R099P6FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO247-4

Serie : CoolMOS™ P6

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.21mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3330pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 278W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO247-4

Paket / fall : TO-247-4

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPZ60R099P6FKSA1

Datenblätter : IPZ60R099P6FKSA1.pdf

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