EPC2012C - GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2012C
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
392940 Pieces
Referenzpreis
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Technische Daten für EPC2012C
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
EPC2012C
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.3nC @ 5V
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die Outline (4-Solder Bar)
Paket / fall :
Die
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für EPC2012C
Datenblätter :
EPC2012C.pdf
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