STH110N10F7-6 - MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

Hersteller Teilenummer

STH110N10F7-6

Interne Teilenummer

AX-STH110N10F7-6

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

62145 Pieces

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Technische Daten für STH110N10F7-6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STH110N10F7-6

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5117pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : H2PAK-6

Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STH110N10F7-6

Datenblätter : STH110N10F7-6.pdf

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