IPD50R1K4CEBTMA1 - MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Hersteller Teilenummer

IPD50R1K4CEBTMA1

Interne Teilenummer

AX-IPD50R1K4CEBTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IPD50R1K4CEBTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD50R1K4CEBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Serie : CoolMOS™ CE

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 900mA, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 178pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO252-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD50 , IPD50R1K

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Datenblätter : IPD50R1K4CEBTMA1.pdf

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