JANTXV1N6631US - DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für JANTXV1N6631US
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JANTXV1N6631US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/590
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 1.4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 60ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 4µA @ 1100V
Kapazität @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : E-MELF
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für JANTXV1N6631US
Datenblätter : JANTXV1N6631US.pdf
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