APTM100H46FT3G - MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
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Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTM100H46FT3G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM100H46FT3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 25V
Leistung max : 357W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM100H46FT3G
Datenblätter : APTM100H46FT3G.pdf
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