SQA470EJ-T1_GE3 - MOSFET N-CH 30V 2.25A SC70-6

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MOSFET N-CH 30V 2.25A SC70-6
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Technische Daten für SQA470EJ-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQA470EJ-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 2.25A SC70-6
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 13.6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SQA470EJ-T1_GE3

Datenblätter : SQA470EJ-T1_GE3.pdf

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