FQP2N80 - MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220

Hersteller Teilenummer

FQP2N80

Interne Teilenummer

AX-FQP2N80

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FQP2N80

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQP2N80

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 85W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FQ , FQP

Dokumente für FQP2N80

Datenblätter : FQP2N80.pdf

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