RD3H160SPFRATL - RD3H160SPFRA IS A POWER MOSFET F
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Kurze Beschreibung
RD3H160SPFRA IS A POWER MOSFET F
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für RD3H160SPFRATL
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RD3H160SPFRATL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
RD3H160SPFRA IS A POWER MOSFET F
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
45V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
20W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RD3H160SPFRATL
Datenblätter :
RD3H160SPFRATL.pdf
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