BSZ180P03NS3EGATMA1 - MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Hersteller Teilenummer

BSZ180P03NS3EGATMA1

Interne Teilenummer

AX-BSZ180P03NS3EGATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für BSZ180P03NS3EGATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSZ180P03NS3EGATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta), 39.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 48µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2220pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TSDSON-8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSZ180 , BSZ180P03

Dokumente für BSZ180P03NS3EGATMA1

Datenblätter : BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf

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