DTC123JET1G - TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller Teilenummer

DTC123JET1G

Interne Teilenummer

AX-DTC123JET1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

16534905 Pieces

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Technische Daten für DTC123JET1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DTC123JET1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : NPN - Pre-Biased

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V

Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA

Frequenz - Übergang : -

Leistung max : 200mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SC-75, SOT-416

Supplier Device Package : SC-75

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DTC123JET1G.pdf

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