SI4413DDY-T1-GE3 - MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Hersteller Teilenummer

SI4413DDY-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SI4413DDY-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

453870 Pieces

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Technische Daten für SI4413DDY-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI4413DDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4780pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 125°C

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOIC

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SI4413DDY-T1-GE3

Datenblätter : SI4413DDY-T1-GE3.pdf

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