BYC58X-600,127 - DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BYC58X-600,127
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYC58X-600,127
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3.2V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 12.5ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 150µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Supplier Device Package : TO-220FP
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BYC58X-600,127
Datenblätter : BYC58X-600,127.pdf
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