STFI10N65K3 - MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STFI10N65K3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für STFI10N65K3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STFI10N65K3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Serie : SuperMESH3™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1180pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAKFP (TO-281)
Paket / fall : TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STFI10N65K3
Datenblätter : STFI10N65K3.pdf
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