IPAN60R650CEXKSA1 - MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
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Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
671765 Pieces
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Technische Daten für IPAN60R650CEXKSA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPAN60R650CEXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
28W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPAN60R650CEXKSA1
Datenblätter :
IPAN60R650CEXKSA1.pdf
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