IPAN60R650CEXKSA1 - MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
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Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPAN60R650CEXKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPAN60R650CEXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 28W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220 Full Pack
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPAN60R650CEXKSA1
Datenblätter : IPAN60R650CEXKSA1.pdf
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