SI3460DDV-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
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MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
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Technische Daten für SI3460DDV-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-TSOP
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI3460DDV-T1-GE3
Datenblätter : SI3460DDV-T1-GE3.pdf
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