1N5407-G - DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 1N5407-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N5407-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-201AD, Axial
Supplier Device Package : DO-27 (DO-201AD)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 125°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für 1N5407-G

Datenblätter : 1N5407-G.pdf

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