SQJ431AEP-T1_GE3 - MOSFET P-CHAN 200V
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CHAN 200V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SQJ431AEP-T1_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQJ431AEP-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CHAN 200V
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 305 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 68W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQJ431AEP-T1_GE3
Datenblätter : SQJ431AEP-T1_GE3.pdf
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