EPC2103ENGRT - GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
97310 Pieces
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USD 2.883
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Technische Daten für EPC2103ENGRT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EPC2103ENGRT
Hersteller : EPC
Beschreibung : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 40V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für EPC2103ENGRT

Datenblätter : EPC2103ENGRT.pdf

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