IS46R86400D-6TLA1 - IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IS46R86400D-6TLA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IS46R86400D-6TLA1
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 700ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 66-TSOP II
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IS46R86400D-6TLA1
Datenblätter : IS46R86400D-6TLA1.pdf
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