FDMA86108LZ - MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDMA86108LZ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1179270 Pieces
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Technische Daten für FDMA86108LZ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FDMA86108LZ
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
243 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
163pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.4W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-MicroFET (2x2)
Paket / fall :
6-VDFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FDMA86108LZ
Datenblätter :
FDMA86108LZ.pdf
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