IS43DR16320E-3DBLI - IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
84395 Pieces
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Technische Daten für IS43DR16320E-3DBLI
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IS43DR16320E-3DBLI
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 450ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 84-TFBGA
Supplier Device Package : 84-TWBGA (8x12.5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IS43DR16320E-3DBLI
Datenblätter : IS43DR16320E-3DBLI.pdf
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