DMG6602SVTQ-7 - MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DMG6602SVTQ-7
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMG6602SVTQ-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 15V
Leistung max : 840mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : TSOT-26
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMG6602SVTQ-7
Datenblätter : DMG6602SVTQ-7.pdf
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