DMG6602SVTQ-7 - MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3867715 Pieces
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Technische Daten für DMG6602SVTQ-7
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMG6602SVTQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 15V
Leistung max :
840mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
TSOT-26
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMG6602SVTQ-7
Datenblätter :
DMG6602SVTQ-7.pdf
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