RP1L055SNTR - MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6

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MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
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Technische Daten für RP1L055SNTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RP1L055SNTR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 730pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : MPT6
Paket / fall : 6-SMD, Flat Leads
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RP1L055SNTR

Datenblätter : RP1L055SNTR.pdf

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