STW18N60DM2 - MOSFET N-CH 600V 12A
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STW18N60DM2
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
138755 Pieces
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Technische Daten für STW18N60DM2
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
STW18N60DM2
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 12A
Serie :
MDmesh™ DM2
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
295 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
90W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für STW18N60DM2
Datenblätter :
STW18N60DM2.pdf
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