TPS1120DG4 - MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

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MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
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Technische Daten für TPS1120DG4

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TPS1120DG4
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 15V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 840mW
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TPS1120DG4

Datenblätter : TPS1120DG4.pdf

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