BSM50GD170DLBOSA1 - IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BSM50GD170DLBOSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSM50GD170DLBOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : -
Aufbau : Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1700V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Leistung max : 480W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 3.5nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 125°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSM50GD170DLBOSA1
Datenblätter : BSM50GD170DLBOSA1.pdf
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