BYV10EX-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BYV10EX-600PQ
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYV10EX-600PQ
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2V @ 10A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Supplier Device Package : TO-220FP
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BYV10EX-600PQ
Datenblätter : BYV10EX-600PQ.pdf
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