FDP2D3N10C - MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

Hersteller Teilenummer

FDP2D3N10C

Interne Teilenummer

AX-FDP2D3N10C

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

128295 Pieces

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Technische Daten für FDP2D3N10C

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDP2D3N10C

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 222A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 700µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 152nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11180pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 214W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDP2D3N10C

Datenblätter : FDP2D3N10C.pdf

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