RJK60S7DPK-M0#T0 - MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
66795 Pieces
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Technische Daten für RJK60S7DPK-M0#T0
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RJK60S7DPK-M0#T0
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (Max) :
+30V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2300pF @ 25V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
227.2W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3PSG
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RJK60S7DPK-M0#T0
Datenblätter :
RJK60S7DPK-M0#T0.pdf
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