IPP12CNE8N G - MOSFET N-CH 85V 67A TO-220

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
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Technische Daten für IPP12CNE8N G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPP12CNE8N G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 85V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.9 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4340pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IPP1 , IPP12C

Dokumente für IPP12CNE8N G

Datenblätter : IPP12CNE8N G.pdf

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