K4B4G1646E-BYMA - 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : K4B4G1646E-BYMA
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Dichte : 4 Gb
Org. : 512M x 8
Geschwindigkeit : 1866 Mbps
Stromspannung : 1.35 V
Temp. : 0 ~ 85 °C
Paket : 96FBGA
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für K4B4G1646E-BYMA
Datenblätter : K4B4G1646E-BYMA.pdf
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