70T633S12BFGI - IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
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Kurze Beschreibung
IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für 70T633S12BFGI
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 70T633S12BFGI
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße : 9Mb (512K x 18)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 12ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 208-LFBGA
Supplier Device Package : 208-CABGA (15x15)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 70T633S12BFGI
Datenblätter : 70T633S12BFGI.pdf
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