FES16JT - DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FES16JT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FES16JT
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 16A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 145pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : FES16JT.pdf

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