BQ4013MA-120 - IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

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IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BQ4013MA-120

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BQ4013MA-120
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : NVSRAM
Technologie : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße : 1Mb (128K x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 120ns
Zugriffszeit : 120ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 4.75V ~ 5.5V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Supplier Device Package : 32-DIP Module (18.42x42.8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BQ4013MA-120

Datenblätter : BQ4013MA-120.pdf

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