IPC100N04S51R7ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

Hersteller Teilenummer

IPC100N04S51R7ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPC100N04S51R7ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

731395 Pieces

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Technische Daten für IPC100N04S51R7ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPC100N04S51R7ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 60µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 83nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4810pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 115W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TDSON-8-34

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPC100N04S51R7ATMA1

Datenblätter : IPC100N04S51R7ATMA1.pdf

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