VS-HFA06TB120S-M3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für VS-HFA06TB120S-M3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : VS-HFA06TB120S-M3
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
Serie : HEXFRED®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 6A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3.9V @ 12A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 80ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für VS-HFA06TB120S-M3
Datenblätter : VS-HFA06TB120S-M3.pdf
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